RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Comparez
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
42
Autour de -100% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
9.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
21
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
9.4
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2326
3356
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Comparaison des RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link