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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Comparez
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Note globale
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Différences
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Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
40
Autour de -43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
28
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2209
2481
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Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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