RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Comparez
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Note globale
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.6
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
44
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.6
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2193
2524
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Comparaison des RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Comparaison des RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link