RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
37
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
37
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
2808
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link