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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Comparez
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Note globale
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Note globale
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
95
Autour de 69% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
7.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
95
Vitesse de lecture, GB/s
14.3
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2227
1518
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Comparaison des RAM
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Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
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