RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
28
Autour de 4% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.7
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
28
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
14.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
3660
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link