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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Note globale
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
49
Autour de 45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
49
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
10.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2251
2413
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT51264BA1339J.C8F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339J.M8F 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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