RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
27
Autour de 7% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
3538
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link