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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
31
Autour de 19% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
3614
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
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