RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
25
Autour de -19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.7
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.3
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
21
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
3437
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link