RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
25
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
16.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2925
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link