RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Note globale
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
33
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.1
8.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
33
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.6
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2900
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB Comparaison des RAM
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
Kingston 9905471-030.A00LF 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link