RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Comparez
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Note globale
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Note globale
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
41
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.5
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
9.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
37
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.7
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2366
2962
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB Comparaison des RAM
Corsair CMZ8GXMA1600C9 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link