Comparaison de la RAM Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Note globale

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Raisons de considérer
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

31 41

Autour de -32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

20.5 13.9

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

15.5 9.7

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

25600 12800

Autour de 2 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2366 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns