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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Comparez
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Note globale
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
60
Autour de 42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.4
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
60
Vitesse de lecture, GB/s
16.4
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.8
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
25600
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2660
2359
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB Comparaison des RAM
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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