RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,935.8
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
45
Autour de -105% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
22
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
3222
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link