RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
79
Autour de 43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
14.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
2,935.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
79
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
14.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
1710
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link