RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Comparez
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Note globale
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Note globale
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,935.8
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
45
Autour de -61% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
28
Vitesse de lecture, GB/s
6,336.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,935.8
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1144
3217
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link