RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
35
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.6
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
3060
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link