RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
47
Autour de 45% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.2
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
47
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
11.2
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2362
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Smart Modular SH564128FH8N0QHSCG 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link