RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
48
Autour de 46% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.5
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
48
Vitesse de lecture, GB/s
13.2
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2070
2196
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DDR3L 1600G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link