RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB vs Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Note globale
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
36
Autour de -89% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.2
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.9
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
19
Vitesse de lecture, GB/s
16.4
20.2
Vitesse d'écriture, GB/s
10.5
17.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2618
3862
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link