RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
35
Autour de 11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
35
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
10.8
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2904
2126
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB Comparaison des RAM
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Ramaxel Technology RMR1810EC58E8F1333 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link