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G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Comparez
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
24
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
20.0
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
29
Vitesse de lecture, GB/s
24.0
13.6
Vitesse d'écriture, GB/s
20.0
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
4156
2419
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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