RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Comparez
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB vs Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Note globale
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
14
52
Autour de 73% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
25.1
10
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.3
7.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
14
52
Vitesse de lecture, GB/s
25.1
10.0
Vitesse d'écriture, GB/s
19.3
7.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
4182
2169
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Transcend Information JM1600KLH-8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link