RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Comparez
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Note globale
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Note globale
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
76
Autour de 36% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.7
2,066.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
76
Vitesse de lecture, GB/s
4,577.1
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,066.5
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
737
1718
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link