RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
62
Autour de -59% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
39
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2808
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link