RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
62
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2554
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link