Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Note globale
star star star star star
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Note globale
star star star star star
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    62 left arrow 86
    Autour de 28% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 12.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    5.7 left arrow 1,843.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    19200 left arrow 6400
    Autour de 3 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    62 left arrow 86
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,556.6 left arrow 12.1
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,843.6 left arrow 5.7
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    542 left arrow 1220
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons