RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.0
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
62
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
1586
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link