RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
35
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2126
2571
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link