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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Note globale
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Raisons de considérer
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
35
Autour de -52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
23
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2126
3017
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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