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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Note globale
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Raisons de considérer
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
35
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.2
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
32
Vitesse de lecture, GB/s
9.8
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.9
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
25600
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2126
3247
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaison des RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
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Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
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