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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de -17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
24
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2329
3230
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
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