RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
62
Autour de -182% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.3
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
22
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
3934
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link