RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
62
Autour de -88% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
33
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
3166
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link