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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Différences
Spécifications
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Raisons de considérer
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
62
Autour de -55% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.0
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
62
40
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
11.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
2493
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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