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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Note globale
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
36
Autour de 22% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.2
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
36
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
15.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1668
3562
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
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