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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1678
3208
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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