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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de -7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.9
8.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
5.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
30
28
Vitesse de lecture, GB/s
8.8
11.9
Vitesse d'écriture, GB/s
5.6
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1344
2108
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Comparaison des RAM
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SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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