RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
65
Autour de -76% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2751
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link