RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
65
Autour de -225% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
20
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
3404
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link