RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
65
Autour de -76% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
2422
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link