RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de 14% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3027
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link