RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
24
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
16
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
23
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2629
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link