RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
22
24
Autour de -9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.1
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
22
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
18.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3010
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99P5471-013.A00LF 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link