RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
33
Autour de 27% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.7
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
33
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3461
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link