RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
24
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.3
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
23
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2809
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link