RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
31
Autour de 23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3126
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link