RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
107
Autour de 78% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
4.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
107
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
8.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
4.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
1022
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Samsung M393B5270DH0-CK0 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link